生年月日データベース

中村修二なかむらしゅうじ

電子工学者[日本]

(青色発光ダイオードを開発)

1954年 5月22日 生 (満70歳)

中村修二 - ウィキペディアより引用

中村 修二(なかむら しゅうじ、英語: Shuji Nakamura、1954年(昭和29年)5月22日 - )は、電子工学を専門とする技術者、研究者。
学位は、博士(工学)(徳島大学)。
日亜化学時代の1993年に世界に先駆けて実用的な高輝度青色発光ダイオードを開発し、その発明により赤﨑勇・天野浩とともに2014年のノーベル物理学賞を受賞した。
日亜化学との訴訟でも注目を集めた[17][18][19]。
2005年までは日本国籍であったが、その後アメリカ国籍を取得している。
日亜化学工業開発部主幹研究員[20]、同社 窒化物半導体研究所 所長[21][22]を経て、2000年よりカリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)教授[23][24]。
科学技術振興機構のERATO中村不均一結晶プロジェクトの研究統括を務めるとともに[25][26]、大学発ベンチャー「SORAA」も立ち上げた[27]。
中村を中心としたUCSBの研究グループは、2007年に世界初の無極性青紫半導体レーザーを実現した[28]。
2014年文化功労者、文化勲章受章[29]。
2017年、日本工業大学特別栄誉教授[30]。

中村修二さんが誕生してから、70年と29日が経過しました。(25597日)